半導體物理學(第7版)（簡體書）

《半導體物理學(第7版)》較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、復合及其運動規律；pn結；金屬和半導體的接觸；半導體表面及MIS結構；半導體異質結構；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶態半導體。
《半導體物理學(第7版)》可作為高等學校電子科學與技術類微電子技術、半導體器件，以及集成電路設計等專業學生的教材，也可供從事相關專業的科技人員參考。

第1章 半導體中的電子狀態
1.1 半導體的晶格結構和結合性質
1.1.1 金剛石型結構和共價鍵
1.1.2 閃鋅礦型結構和混合鍵
1.1.3 纖鋅礦型結構
1.2 半導體中的電子狀態和能帶
1.2.1 原子的能級和晶體的能帶
1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶
1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶
1.3 半導體中電子的運動有效質量
1.3.1 半導體中E(k)與k的關系
1.3.2 半導體中電子的平均速度
1.3.3 半導體中電子的加速度
1.3.4 有效質量的意義
1.4 本征半導體的導電機構空穴
1.5 回旋共振
1.5.1 k空間等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和鍺的能帶結構
1.6.1 硅和鍺的導帶結構
1.6.2 硅和鍺的價帶結構
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結構
1.7.1 銻化銦的能帶結構
1.7.2 砷化鎵的能帶結構
1.7.3 磷化鎵和磷化銦的能帶結構
1.7.4 混合晶體的能帶結構
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
1.8.1 二元化合物的能帶結構
1.8.2 混合晶體的能帶結構
1.9 Si1-xGex合金的能帶
1.10 寬禁帶半導體材料
1.10.1 GaN、AlN的晶格結構和能帶
1.10.2 SiC的晶格結構與能帶
習題
參考資料

第2章 半導體中雜質和缺陷能級
2.1 硅、鍺晶體中的雜質能級
2.1.1 替位式雜質間隙式雜質
2.1.2 施主雜質、施主能級
2.1.3 受主雜質、受主能級
2.1.4 淺能級雜質電離能的簡單計算
2.1.5 雜質的補償作用
2.1.6 深能級雜質
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級
2.3 氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質能級
2.4 缺陷、位錯能級
2.4.1 點缺陷
2.4.2 位錯
習題
參考資料

第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 狀態密度
3.1.1 空間中量子態的分布
3.1.2 狀態密度
3.2 費米能級和載流子的統計分布
3.2.1 費米分布函數
3.2.2 玻耳茲曼分布函數
3.2.3 導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度
3.2.4 載流子濃度乘積noPo
3.3 本征半導體的載流子濃度
3.4 雜質半導體的載流子濃度
3.4.1 雜質能級上的電子和空穴
3.4.2 n型半導體的載流子濃度
3.5 一般情況下的載流子統計分布
3.6 簡并半導體
3.6.1 簡并半導體的載流子濃度
3.6.2 簡并化條件
3.6.3 低溫載流子凍析效應
3.6.4 禁帶變窄效應
3.7 電子占據雜質能級的概率
3.7.1 電子占據雜質能級概率的討論
3.7.2 求解統計分布函數
習題

……
第4章 半導體的導電性
第5章 非平衡載流子
第6章 pn結
第7章 金屬和半導體的接觸
第8章 半導體表面與MIS結構
第9章 半導體異質結構
第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象
第11章 半導體的熱電性質
第12章 半導體磁和壓阻效應
第13章 非晶態半導體
附錄
主要參數符號表
參考資料