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作者簡介
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本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
作者簡介
吳永俊
現職：國立清華大學工程與系統科學系與半導體學院教授
研究領域與專長：半導體元件製程與整合、半導體元件物理與 TCAD 模擬、記憶體製程與整合；發表半導體元件製程與整合相關 SCI 期刊論文約 100 篇、英文教科書：3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices、中文教科書：《三維 TCAD 模擬與 CMOS 奈米電子元件》
孫崇哲
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米級金氧半場效應電晶體、先進鰭式電晶體與環繞式閘極電晶體之開發、高遷移率通道工程、與半導體元件物理與 TCAD 模擬技術
顏孝丞
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米電子元件、鰭式場效電晶體、半導體元件物理與製程整合，與先進非揮發性記憶體
現職：國立清華大學工程與系統科學系與半導體學院教授
研究領域與專長：半導體元件製程與整合、半導體元件物理與 TCAD 模擬、記憶體製程與整合；發表半導體元件製程與整合相關 SCI 期刊論文約 100 篇、英文教科書：3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices、中文教科書：《三維 TCAD 模擬與 CMOS 奈米電子元件》
孫崇哲
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米級金氧半場效應電晶體、先進鰭式電晶體與環繞式閘極電晶體之開發、高遷移率通道工程、與半導體元件物理與 TCAD 模擬技術
顏孝丞
學歷：國立清華大學工程與系統科學系博士
研究領域與專長：奈米電子元件、鰭式場效電晶體、半導體元件物理與製程整合，與先進非揮發性記憶體
目次
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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