相關商品
商品簡介
作者簡介
名人/編輯推薦
序
目次
商品簡介
《晶片用矽晶片的加工技術》由淺入深地介紹了半導體矽及積體電路的有關知識，並著重對滿足納米積體電路用優質大直徑300mm矽單晶拋光片和太陽能光伏產業用晶體矽太陽電池晶片的製備工藝、技術，以及對生產工藝廠房的設計要求進行了全面系統的論述。
書中附有大量插圖、表格等技術資料，可供致力於半導體矽材料工作的科技人員、企業管理人員和從事矽片加工的專業工程技術人員閱讀參考，亦可作為高校及專業培訓的教學參考書使用。
書中附有大量插圖、表格等技術資料，可供致力於半導體矽材料工作的科技人員、企業管理人員和從事矽片加工的專業工程技術人員閱讀參考，亦可作為高校及專業培訓的教學參考書使用。
作者簡介
張厥宗，北京有色金屬研究總院、有研半導體材料有限公司高級工程師。自1963年至今，一直從事我國半導體材料鍺和矽領域的科研、試製、生產工作。1968～1984年從事矽的離子注入機研製及矽離子注入工藝研究等工作。1985年至今全程參與我國直徑2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸矽拋光片產業領域的一系列科研、攻關、試製、生產項目工作。共獲得國家、部市級獎15項（國家、部級科技進步二等獎4項、部級科技進步一等獎2項和三等獎4項、其他科技進步二、三等獎5項）。先後編著《矽單晶拋光片的加工技術》《矽片的加工技術》，並參加《國內外半導體材料標準彙編》的編審工作。目前仍在為直徑300mm矽拋光、外延片等項目工程的產業建設做相關技術工作。
名人/編輯推薦
本書作者是北京有色金屬研究總院的高級工程師，從事半導體矽材料開發研究工作四十多年，獲得多項國家、省部級獎項，至今依然奮鬥在技術前沿領域，為國內相關研究與生產單位提供技術支援。本書是他將多年來的研究與技術成果總結成一本實用性很強的工具書，收集了國內外當前的發展水準，為行業相關技術人員提供了一本全面系統的“納米積體電路工藝用矽單晶拋光片”和“晶體矽太陽能電池晶片”加工專著。
序
大家都知道工業時代的基石是鋼鐵，而半導體材料矽（Si）則是信息時代的基石。現代社會已進入信息時代，無論從科技還是經濟的角度看，半導體行業的重要性都是非常巨大且難以替代的。集多種高新技術於一體的半導體元件產品——晶片，幾乎存在於所有工業部門，是半導體“矽產業生產鏈”中的重要產品，而矽單晶拋光片（晶圓）則是其基礎功能原材料。隨著積體電路產業和太陽能光伏產業的深入發展，半導體材料矽晶片的製備加工技術也得到了迅速發展。目前，積體電路晶片和大直徑矽拋光片的製備技術已成為當今世界發展最為迅速和競爭最為激烈的高科技技術之一。
整個半導體行業的產業鏈由上遊支撐產業、中遊製造產業以及下遊應用產業構成，其中上遊支撐產業主要由半導體材料和設備構成，中遊製造產業核心為積體電路的製造，下遊為半導體應用領域。當前全球積體電路產業的核心技術仍掌握在美國和歐洲，生產工藝技術主要在日本，積體電路晶片的高端產品加工在日本和韓國，中端產品加工在我國的臺灣地區、馬來西亞、新加坡等，低端、大眾化的產品加工則大多在我國大陸地區。
半導體產業不同於其他一般的工業產業，是一個“資金密集、技術密集、人才密集”“技術進步極快” “高投入、高風險、慢回報”的產業。國家戰略規劃《中國製造2025》中提出，實現我國半導體產業發展目標需要三個基本要素：資金、技術和人才。在當今形勢下，還要再加上搶時間和速度，四個基本要素，缺一不可。要發展國家級戰略積體電路產業，既要得到國家和地方政府的支援，最重要的是要提升自主研發能力，扶助和發展國內本土的半導體產業，升級擴大重要戰略原材料大直徑矽單晶拋光片的生產能力。
單晶矽材料是半導體產業的基礎，半導體“矽產業生產鏈”上所有的相關人員，都需瞭解半導體矽材料的基本性質及其拋光片的加工工藝技術。目前國內外關於半導體矽單晶的製備、性能和質量控制的研究及相關技術文獻、資料雖有一些專業報導，但對其有關半導體矽單晶拋光片的加工技術、工藝設備的性能、產質量量的控制等相關技術的綜合、系統報導甚少。為此，我結合自己的工作積累，整理了國內外相關領域最新技術內容，編寫了本書。
本書採取由淺入深的方式，在介紹半導體矽及積體電路有關知識的同時，重點放在介紹 “能滿足IC特徵尺寸線寬小於65nm～40nm～28nm IC晶片工藝用優質大直徑矽單晶拋光片的製備工藝、技術”和 “製備晶體矽太陽能電池晶片”的相關知識及所需的相關工藝設備。致力於使從事半導體矽材料技術工作的工程科技人員,從事半導體材料矽單晶、矽拋光片加工領域的專業工程技術人員、企業管理人員、在校學生等各界讀者朋友們,對“IC納米積體電路工藝用半導體矽單晶拋光片”的生產全過程和製備“晶體矽太陽能電池晶片”有一個全面、系統、深刻的瞭解。
由於知識水準有限，書中難免有疏漏之處，歡迎廣大讀者批評指正。
張厥宗
於北京
整個半導體行業的產業鏈由上遊支撐產業、中遊製造產業以及下遊應用產業構成，其中上遊支撐產業主要由半導體材料和設備構成，中遊製造產業核心為積體電路的製造，下遊為半導體應用領域。當前全球積體電路產業的核心技術仍掌握在美國和歐洲，生產工藝技術主要在日本，積體電路晶片的高端產品加工在日本和韓國，中端產品加工在我國的臺灣地區、馬來西亞、新加坡等，低端、大眾化的產品加工則大多在我國大陸地區。
半導體產業不同於其他一般的工業產業，是一個“資金密集、技術密集、人才密集”“技術進步極快” “高投入、高風險、慢回報”的產業。國家戰略規劃《中國製造2025》中提出，實現我國半導體產業發展目標需要三個基本要素：資金、技術和人才。在當今形勢下，還要再加上搶時間和速度，四個基本要素，缺一不可。要發展國家級戰略積體電路產業，既要得到國家和地方政府的支援，最重要的是要提升自主研發能力，扶助和發展國內本土的半導體產業，升級擴大重要戰略原材料大直徑矽單晶拋光片的生產能力。
單晶矽材料是半導體產業的基礎，半導體“矽產業生產鏈”上所有的相關人員，都需瞭解半導體矽材料的基本性質及其拋光片的加工工藝技術。目前國內外關於半導體矽單晶的製備、性能和質量控制的研究及相關技術文獻、資料雖有一些專業報導，但對其有關半導體矽單晶拋光片的加工技術、工藝設備的性能、產質量量的控制等相關技術的綜合、系統報導甚少。為此，我結合自己的工作積累，整理了國內外相關領域最新技術內容，編寫了本書。
本書採取由淺入深的方式，在介紹半導體矽及積體電路有關知識的同時，重點放在介紹 “能滿足IC特徵尺寸線寬小於65nm～40nm～28nm IC晶片工藝用優質大直徑矽單晶拋光片的製備工藝、技術”和 “製備晶體矽太陽能電池晶片”的相關知識及所需的相關工藝設備。致力於使從事半導體矽材料技術工作的工程科技人員,從事半導體材料矽單晶、矽拋光片加工領域的專業工程技術人員、企業管理人員、在校學生等各界讀者朋友們,對“IC納米積體電路工藝用半導體矽單晶拋光片”的生產全過程和製備“晶體矽太陽能電池晶片”有一個全面、系統、深刻的瞭解。
由於知識水準有限，書中難免有疏漏之處，歡迎廣大讀者批評指正。
張厥宗
於北京
目次
第一篇基礎篇
第1章概述2
1.1半導體工業的發展概況2
1.2中國半導體工業的發展歷程10
第2章半導體材料矽的物理、化學及其半導體的性質42
2.1概述42
2.2半導體材料矽的基本物理、化學性質44
2.2.1半導體材料矽的晶體結構44
2.2.2半導體材料矽的電學性質48
2.2.3半導體材料矽的光學性質53
2.2.4半導體材料矽的熱學性質53
2.2.5半導體材料矽的機械性質54
2.2.6半導體材料矽的化學性質55
2.2.7半導體材料的P-N結特性56
第二篇積體電路產業用矽片
第3章矽片的製備64
3.1對積體電路用矽片的技術要求64
3.2表徵半導體材料質量的特性參數69
3.2.1純度69
3.2.2結晶學參數70
3.2.3電學參數70
3.2.4半導體晶片加工後的機械幾何尺寸參數71
3.2.5半導體晶片表面狀態質量參數71
3.3矽片質量控制中的幾個相關的專用技術術語解釋71
3.4矽片加工的工藝流程83
3.5矽晶棒（錠）的製備90
3.5.1直拉（Czochralski，CZ）單晶矽的生長92
3.5.2懸浮區熔矽的生長104
3.6矽晶棒（錠）的截斷（cropping）107
3.7矽單晶棒外圓的滾磨（圓）磨削（grinding）108
3.8矽單晶片定位面加工（flat or notch grinding）110
3.9矽單晶棒表面的腐蝕（etching）112
3.10矽切片（slicing）112
3.11矽片倒角（edge grinding）117
3.12矽片的雙面研磨（lapping）或矽片的表面磨削(grinding)123
3.13矽片的化學腐蝕133
3.14矽片的表面處理138
3.14.1矽片表面的熱處理138
3.14.2矽片背表面的增強吸除處理141
3.15矽片的邊緣拋光（edge polishing）143
3.15.1矽片邊緣表面的機械帶式邊緣粗拋光加工143
3.15.2矽片邊緣表面的鹼性膠體二氧化矽化學機械的精拋光加工144
3.16矽片的表面拋光（polishing）146
3.16.1矽片的表面拋光加工工藝146
3.16.2矽片的鹼性膠體二氧化矽化學機械拋光原理148
3.16.3矽片的多段加壓單面拋光工藝149
3.16.4拋光液（slurry）150
3.16.5拋光布（polishing pad）153
3.16.6矽片表面的粗拋光（roughness polishing）156
3.16.7矽片表面的細拋光（fine polishing）161
3.16.8矽片表面的最終拋光（final polishing）164
3.17矽片的激光刻碼（laser marking）172
3.18矽片的化學清洗（cleaning）178
3.18.1矽片的化學清洗工藝原理178
3.18.2美國RCA清洗技術180
3.18.3新的清洗技術184
3.18.4使用不同清洗系統對拋光片進行清洗187
3.18.5拋光片清洗系統中矽片的脫水、乾燥技術189
第4章其他的矽晶片197
4.1矽外延片198
4.1.1外延的種類199
4.1.2外延的製備方法199
4.1.3化學氣相外延原理200
4.1.4矽外延系統201
4.2矽鍺材料202
4.3矽退火片203
4.4絕緣體上矽SOI204
第5章矽片的運、載211
5.1氟塑料的基本特性211
5.2半導體工業常用的塑料製品——矽片的運、載花籃及包裝盒214
5.3矽拋光片的潔淨包裝218
5.4其他相關的工裝用具220
第6章矽片的測試224
6.1矽片主要機械加工參數的測量226
6.2矽單晶棒或晶片的晶向測量231
6.3導電類型（導電型號）的測量236
6.4電阻率及載流子濃度的測量238
6.5少數載流子壽命測量241
6.6氧、碳濃度測量245
6.7矽的晶體缺陷測量248
6.8電子顯微鏡和其他超微量的分析技術254
第三篇太陽能光伏產業用矽片
第7章太陽能光伏產業用矽片的製備技術270
7.1太陽能光電轉換原理270
7.2太陽電池的主要技術參數273
7.3晶體矽太陽電池的結構278
7.4晶體矽太陽電池用的晶體矽材料的製備279
7.4.1多晶矽原材料的準備280
7.4.2太陽電池產業用的矽系晶體材料281
7.4.3直熔法製備鑄造多晶矽的生產工藝284
7.5對太陽能光伏產業用的矽片的技術要求295
7.6晶體矽太陽電池用的矽片的加工技術296
7.6.1矽晶棒（錠）的截斷296
7.6.2晶體矽的切片297
7.6.3晶體矽片的化學腐蝕298
7.7晶體矽太陽電池片的生產工藝流程299
7.7.1晶體矽太陽電池晶片的主要生產工藝過程299
7.7.2晶片表面“絨面”結構的製備299
7.7.3P-N結的製備301
7.7.4去邊刻蝕303
7.7.5表面處理（表面去磷矽玻璃）304
7.7.6減反射膜層的製備305
7.7.7表面電極的製備307
7.8晶體矽太陽電池元件的製備工藝技術308
7.9晶體矽太陽電池元件裝置封裝的生產工藝過程309
7.9.1晶體矽太陽電池元件裝置封裝的生產工藝流程310
7.9.2晶體矽太陽電池元件裝置封裝用的主要材料313
7.10太陽電池的應用314
第四篇半導體晶片加工廠的廠務系統要求
第8章潔淨室技術318
8.1概述318
8.2潔淨室空氣潔淨度等級及標準318
8.3潔淨室在半導體工業中適用範圍327
8.4潔淨室的設計331
8.5潔淨室的維護及管理333
第9章半導體工廠的動力供給系統340
9.1電力供給系統340
9.2超純水系統341
9.2.1半導體及IC工業對超純水的技術要求342
9.2.2超純水的製備345
9.3高純化學試劑及高純氣體349
9.3.1半導體工業用的高純化學試劑349
9.3.2高純氣體351
9.4三廢（廢水、廢氣、廢物）處理系統及相關安全防務系統356
參考文獻358
第1章概述2
1.1半導體工業的發展概況2
1.2中國半導體工業的發展歷程10
第2章半導體材料矽的物理、化學及其半導體的性質42
2.1概述42
2.2半導體材料矽的基本物理、化學性質44
2.2.1半導體材料矽的晶體結構44
2.2.2半導體材料矽的電學性質48
2.2.3半導體材料矽的光學性質53
2.2.4半導體材料矽的熱學性質53
2.2.5半導體材料矽的機械性質54
2.2.6半導體材料矽的化學性質55
2.2.7半導體材料的P-N結特性56
第二篇積體電路產業用矽片
第3章矽片的製備64
3.1對積體電路用矽片的技術要求64
3.2表徵半導體材料質量的特性參數69
3.2.1純度69
3.2.2結晶學參數70
3.2.3電學參數70
3.2.4半導體晶片加工後的機械幾何尺寸參數71
3.2.5半導體晶片表面狀態質量參數71
3.3矽片質量控制中的幾個相關的專用技術術語解釋71
3.4矽片加工的工藝流程83
3.5矽晶棒（錠）的製備90
3.5.1直拉（Czochralski，CZ）單晶矽的生長92
3.5.2懸浮區熔矽的生長104
3.6矽晶棒（錠）的截斷（cropping）107
3.7矽單晶棒外圓的滾磨（圓）磨削（grinding）108
3.8矽單晶片定位面加工（flat or notch grinding）110
3.9矽單晶棒表面的腐蝕（etching）112
3.10矽切片（slicing）112
3.11矽片倒角（edge grinding）117
3.12矽片的雙面研磨（lapping）或矽片的表面磨削(grinding)123
3.13矽片的化學腐蝕133
3.14矽片的表面處理138
3.14.1矽片表面的熱處理138
3.14.2矽片背表面的增強吸除處理141
3.15矽片的邊緣拋光（edge polishing）143
3.15.1矽片邊緣表面的機械帶式邊緣粗拋光加工143
3.15.2矽片邊緣表面的鹼性膠體二氧化矽化學機械的精拋光加工144
3.16矽片的表面拋光（polishing）146
3.16.1矽片的表面拋光加工工藝146
3.16.2矽片的鹼性膠體二氧化矽化學機械拋光原理148
3.16.3矽片的多段加壓單面拋光工藝149
3.16.4拋光液（slurry）150
3.16.5拋光布（polishing pad）153
3.16.6矽片表面的粗拋光（roughness polishing）156
3.16.7矽片表面的細拋光（fine polishing）161
3.16.8矽片表面的最終拋光（final polishing）164
3.17矽片的激光刻碼（laser marking）172
3.18矽片的化學清洗（cleaning）178
3.18.1矽片的化學清洗工藝原理178
3.18.2美國RCA清洗技術180
3.18.3新的清洗技術184
3.18.4使用不同清洗系統對拋光片進行清洗187
3.18.5拋光片清洗系統中矽片的脫水、乾燥技術189
第4章其他的矽晶片197
4.1矽外延片198
4.1.1外延的種類199
4.1.2外延的製備方法199
4.1.3化學氣相外延原理200
4.1.4矽外延系統201
4.2矽鍺材料202
4.3矽退火片203
4.4絕緣體上矽SOI204
第5章矽片的運、載211
5.1氟塑料的基本特性211
5.2半導體工業常用的塑料製品——矽片的運、載花籃及包裝盒214
5.3矽拋光片的潔淨包裝218
5.4其他相關的工裝用具220
第6章矽片的測試224
6.1矽片主要機械加工參數的測量226
6.2矽單晶棒或晶片的晶向測量231
6.3導電類型（導電型號）的測量236
6.4電阻率及載流子濃度的測量238
6.5少數載流子壽命測量241
6.6氧、碳濃度測量245
6.7矽的晶體缺陷測量248
6.8電子顯微鏡和其他超微量的分析技術254
第三篇太陽能光伏產業用矽片
第7章太陽能光伏產業用矽片的製備技術270
7.1太陽能光電轉換原理270
7.2太陽電池的主要技術參數273
7.3晶體矽太陽電池的結構278
7.4晶體矽太陽電池用的晶體矽材料的製備279
7.4.1多晶矽原材料的準備280
7.4.2太陽電池產業用的矽系晶體材料281
7.4.3直熔法製備鑄造多晶矽的生產工藝284
7.5對太陽能光伏產業用的矽片的技術要求295
7.6晶體矽太陽電池用的矽片的加工技術296
7.6.1矽晶棒（錠）的截斷296
7.6.2晶體矽的切片297
7.6.3晶體矽片的化學腐蝕298
7.7晶體矽太陽電池片的生產工藝流程299
7.7.1晶體矽太陽電池晶片的主要生產工藝過程299
7.7.2晶片表面“絨面”結構的製備299
7.7.3P-N結的製備301
7.7.4去邊刻蝕303
7.7.5表面處理（表面去磷矽玻璃）304
7.7.6減反射膜層的製備305
7.7.7表面電極的製備307
7.8晶體矽太陽電池元件的製備工藝技術308
7.9晶體矽太陽電池元件裝置封裝的生產工藝過程309
7.9.1晶體矽太陽電池元件裝置封裝的生產工藝流程310
7.9.2晶體矽太陽電池元件裝置封裝用的主要材料313
7.10太陽電池的應用314
第四篇半導體晶片加工廠的廠務系統要求
第8章潔淨室技術318
8.1概述318
8.2潔淨室空氣潔淨度等級及標準318
8.3潔淨室在半導體工業中適用範圍327
8.4潔淨室的設計331
8.5潔淨室的維護及管理333
第9章半導體工廠的動力供給系統340
9.1電力供給系統340
9.2超純水系統341
9.2.1半導體及IC工業對超純水的技術要求342
9.2.2超純水的製備345
9.3高純化學試劑及高純氣體349
9.3.1半導體工業用的高純化學試劑349
9.3.2高純氣體351
9.4三廢（廢水、廢氣、廢物）處理系統及相關安全防務系統356
參考文獻358
您曾經瀏覽過的商品
購物須知
大陸出版品因裝訂品質及貨運條件與台灣出版品落差甚大，除封面破損、內頁脫落等較嚴重的狀態，其餘商品將正常出貨。
特別提醒：部分書籍附贈之內容(如音頻mp3或影片dvd等)已無實體光碟提供，需以QR CODE 連結至當地網站註冊“並通過驗證程序”，方可下載使用。
無現貨庫存之簡體書，將向海外調貨：
海外有庫存之書籍，等候約45個工作天;
海外無庫存之書籍，平均作業時間約60個工作天，然不保證確定可調到貨，尚請見諒。
為了保護您的權益，「三民網路書店」提供會員七日商品鑑賞期(收到商品為起始日)。
若要辦理退貨，請在商品鑑賞期內寄回，且商品必須是全新狀態與完整包裝(商品、附件、發票、隨貨贈品等)否則恕不接受退貨。