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綜合性圖書
TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管:按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管:按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管:按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管(階躍恢復二極管)
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管:按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管:按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管(晶體管)
TN321 晶體管:按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管:按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管:按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管:按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀(網狀)晶體管
TN325 晶體管:按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管(可控硅)
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
616
筆商品,
4
/31頁
滿額折
61.
電子裝聯職業技能等級證書考核題庫:初級(簡體書)
作者:
戚國強
;
王毅
;
陳霞
出版社:
中國鐵道出版社
出版日:
2022/12/19
裝訂:
平裝
本書為《電子裝聯職業技能等級證書教程》(初級)配套教材,以職業技能等級標準和電子裝聯工藝、品質管控、設備操作等崗位能力要求為依據進行編寫。本書重點圍繞裝聯準備、基板焊接、基板檢修、基板裝聯四大工作領域11個典型工作任務展開。全書分為理論知識考核試題和操作技能考核試題兩部分,並附有理論知識考核試題答案、理論知識考核試卷樣例及其答案。理論知識考核試題題型有判斷題、單項選擇題、多項選擇題、簡述題4種,題量大、覆蓋面廣,涵蓋了電子裝聯職業技能培訓教材的內容,與相應章節內容順序呼應。本題庫包含判斷題171個、單項選擇題154個、多項選擇題84個、簡述題23個和理論知識考核試卷樣例兩套、操作技能考核試卷樣例一套。 本書可作為申請“1+X”電子裝聯職業技能等級證書(初級)的人員使用,也可作為電子裝聯職業技能等級證書(初級)的補充題庫,還可供開設電子信息類專業職業院校的教師、學生參考使用。
定價:120 元,
優惠價:
87
104
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62.
有機電致變色材料與器件(簡體書)
作者:
孟鴻
出版社:
北京大學出版社
出版日:
2022/11/22
裝訂:
精裝
本書聚焦電致變色,系統地總結了有機電致變色研究領域的全新研究成果。全書內容涵蓋有機電致變色的發展歷程、器件結構與原理、器件性能與測試、材料類型、多功能器件及電致變色器件的應用與展望等,對於全面瞭解電致變色材料領域的全新研究進展具有重要作用。本書具有以下幾個特點:1)介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發展情況和全新進展;2)介紹了世界各地科研機構和企業的全新研究成果;3)總結並分析了有機電致變色材料與器件現有的核心技術專利,以更好地促進電致變色行業的商業化發展。
定價:1290 元,
優惠價:
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1122
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63.
膠體量子點發光材料與器件(簡體書)
作者:
孟鴻
出版社:
北京大學出版社
出版日:
2022/11/07
裝訂:
精裝
量子點發光二極管(QLED)是顯示領域的一種新型材料,因其具有發光效率高、可溶解加工、色域廣、製造成本低、響應速度快等優勢,備受科研人員關注,有望在商業上獲得廣泛應用。本書旨在向讀者介紹近年來國內外膠體量子點發光材料與器件的進展,全面總結膠體量子點發光二極管器件中各功能層關鍵材料和器件的設計及優化方案,探討材料性能、器件結構、製備工藝等對器件性能的影響以及提高器件性能的相應策略,對追蹤本領域新技術進展及進一步發展所面臨的瓶頸和挑戰都具有重要作用。
定價:774 元,
優惠價:
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64.
半導體簡史(簡體書)
作者:
王齊
;
范淑琴
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2022/11/01
裝訂:
平裝
本書沿半導體全產業鏈的發展歷程,分基礎、應用與製造三條主線展開。其中,基礎線主要覆蓋與半導體材料相關的量子力學、凝聚態物理與光學的一些常識。應用線從晶體管與集成電路的起源開始,逐步過渡到半導體存儲與通信領域。製造線以集成電路為主展開,並介紹了相應的半導體材料與設備。 三條主線涉及了大量與半導體產業相關的歷史。筆者希望能夠沿著歷史的足跡,與讀者一道在浮光掠影中領略半導體產業之全貌。 本書大部分內容以人物與公司傳記為主,適用於絕大多數對半導體產業感興趣的讀者;部分內容涉及少許與半導體產業相關的材料理論,主要為有志於深入瞭解半導體產業的求職者或從業人員準備,多數讀者可以將這些內容略去,並不會影響閱讀的連續性。
定價:648 元,
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庫存:1
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65.
氧化鎵半導體器件(簡體書)
作者:
龍世兵
;
葉建東
;
呂元傑
出版社:
西安電子科技大學出版社
出版日:
2022/11/01
裝訂:
精裝
本書主要介紹近幾年發展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料,在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章,第1~4章(氧化鎵材料部分)介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構,單晶生長和薄膜外延方法,電學特性,氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸,氧化鎵材料的刻蝕、離子注入、缺陷修復等內容;第5~7章(氧化鎵器件部分)介紹了氧化鎵二極管器件的應用方向、器件類型及其發展歷程,氧化鎵場效應晶體管的工作原理、性能指標、器件類型、發展歷程以及今後的發展方向,氧化鎵日盲深紫外光電探測器的工作原理、器件類型、成像技術等。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高等院校的教師、研究生、高年級本科生的參考書和工具書,也可作為其他對氧化鎵寬禁帶半導體器件感興趣的研究人員的參考資料。
定價:768 元,
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87
668
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庫存:1
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66.
半導體器件物理(第三版)(簡體書)
作者:
孟慶巨
出版社:
科學出版社
出版日:
2022/10/01
裝訂:
平裝
《半導體器件物理(第三版)》是普通高等教育“十一五”國家*規劃教材。《半導體器件物理(第三版)》介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。內容包括:半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移器件、半導體太陽電池和光電二極管、發光二極管和半導體激光器等。
定價:474 元,
優惠價:
87
412
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67.
金剛石半導體器件前沿技術(簡體書)
作者:
張金風
出版社:
西安電子科技大學出版社
出版日:
2022/10/01
裝訂:
精裝
本書以作者近年來的研究成果為基礎,結合國際研究進展,系統地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現方法,重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章,內容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優化、金剛石微波功率器件、基於各種介質的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石複合器件及金剛石半導體器件的展望。本書可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀。
定價:648 元,
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68.
半導體器件電離輻射總劑量效應(簡體書)
作者:
陳偉
;
何寶平
;
姚志斌
;
馬武英
出版社:
科學出版社
出版日:
2022/10/01
裝訂:
平裝
輻射在半導體器件中電離產生電子-空穴對,長時間輻射劑量累積引起半導體器件電離輻射總劑量效應。電離輻射總劑量效應是輻射效應中最常見的一種,可以導致器件性能退化,閾值電壓漂移、遷移率下降、動態和靜態電流增加,甚至功能失效,在輻射環境中工作的半導體器件和電子系統必須考慮的總劑量效應問題。本書主要介紹電離輻射環境與效應、體矽CMOS工藝器件和SOI工藝器件電離總劑量效應、雙極工藝器件低劑量率輻射損傷增強效應、總劑量效應數值模擬和試驗方法、總劑量效應預估模型與方法、納米器件總劑量效應與可靠性、系統級總劑量效應模擬試驗方法等內容。
定價:810 元,
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69.
精“芯”打造:積體電路的製造設備(簡體書)
作者:
楊曉峰
;
殳峰
出版社:
上海科學普及出版社
出版日:
2022/10/01
裝訂:
平裝
本書主要介紹積體電路製造的各種設備,以青少年熟悉的“武林高手”的形式介紹主要積體電路製造設備,如被稱為積體電路製造的“四大金剛”離子注入機、光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備。從這些設備在積體電路製造中的各自作用入手,圖文並茂地圍繞“精”這個字,體現積體電路製造設備的技術先進性、複雜度和極具挑戰性的特點,一方面以青少年喜聞樂見的方式普及核心設備的基礎知識,另一方面引發他們未來從事積體電路製造設備研發的興趣。
定價:330 元,
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70.
氮化物半導體准范德華外延及應用(簡體書)
作者:
魏同波
;
劉志國
;
李晉敏
出版社:
西安電子科技大學出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
精裝
本書以第三代半導體與二維材料相結合的產業化應用為目標,詳細介紹了二維材料上準範德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用,內容集學術性與實用性於一體。全書共8章,內容包括二維材料及準範德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準範德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準範德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準範德華外延、非晶襯底上氮化物準範德華外延、準範德華外延氮化物的柔性剝離及轉移、準範德華外延氮化物器件散熱以及Ⅲ族二維氮化物。全書內容新穎,循序漸進,理論性和應用性強,可供從事第三代半導體材料以及半導體照明領域相關的研究生、科研人員與企業研發人員等閱讀參考。
定價:768 元,
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71.
寬禁帶半導體氧化鎵:結構、製備與性能(簡體書)
作者:
陶緒堂
;
穆文祥
;
賈志泰
;
葉建東
出版社:
西安電子科技大學出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
精裝
氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料,在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質調控等幾個方面做了較全面的介紹,重點梳理了作者及國內外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果;系統闡述了獲得高質量體塊單晶及薄膜的思路和方法,並對氧化鎵的發展進行了綜述和展望。 本書可作為寬禁帶半導體材料與器件相關的半導體、材料、化學、微電子等專業研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級本科生的參考書或工具書,也可供其他對寬禁帶半導體材料氧化鎵感興趣的人員參考。
定價:768 元,
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72.
電子技術實驗教程(第三版)(簡體書)
作者:
駱雅琴
出版社:
北京航空航天大學出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
平裝
本書為高等院校非電類工科專業電子實驗教材,共分為三篇: 第一篇是電子實驗基礎,主要介紹電子元器件、測量技術及儀器設備(包括軟、硬體);第二篇是電子實驗,由基礎性實驗和設計性綜合性實驗組成;第三篇是例題、習題和實驗理論試卷。本書第一篇和第二篇均配有思考題。
定價:234 元,
優惠價:
87
204
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73.
圖解入門:半導體製造設備基礎與構造精講(原書第3版)(簡體書)
作者:
(日)佐藤淳一
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
平裝
本書以簡潔明瞭的結構向讀者展現了半導體工藝中使用的設備基礎和機制。全書涵蓋了半導體製造設備的現狀以及展望。同時也對清洗和乾燥設備、離子注入設備、熱處理設備、光刻設備、蝕刻設備、成膜設備、CMP設備、檢測和分析設備、後段制程設備等設備逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯,但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格幫助讀者進行理解。這作為本書的一大特色一定能帶你進入一個半導體製造設備的立體世界。
定價:594 元,
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87
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74.
功率半導體基礎與工藝精講(原書第2版)(簡體書)
作者:
(日)佐藤淳一
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
平裝
本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體製造工藝的各個技術環節。全書共分為10章,包括俯瞰功率半導體工藝全貌、功率半導體的基礎知識及運作、各種功率半導體的作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用於功率半導體的矽晶圓、矽功率半導體的發展、挑戰矽極限的SiC與GaN、功率半導體製造過程的特徵、功率半導體開闢綠色能源時代等。 本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對功率半導體感興趣的職場人士和學生閱讀。
定價:594 元,
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75.
變革性光科學與技術叢書-激光熱敏光刻:原理與方法(簡體書)
作者:
魏勁松
出版社:
清華大學出版社(大陸)
出版日:
2022/09/01
裝訂:
精裝
本書首先對目前各種光刻技術的原理、方法和特點進行描述與分析比較,由此引出本書的主題――激光熱敏光刻; 然後詳細闡述激光熱敏光刻的物理過程、儀器系統、光刻策略、用於**光斑尺寸的納米光刻、跨尺度光刻、寬波段光刻、分辨率極限光刻、灰度圖形光刻,以及圖形轉移的方法和相應的實驗結果及應用事例。希望本書闡述的內容能從另一個角度分析和理解光刻,從而給目前的光刻技術帶來變革性影響,以滿足未來個性化和智能化的微電子芯片與微納結構光電子器件的需求。
定價:774 元,
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76.
薄膜電晶體液晶顯示(TFT LCD)技術原理與應用(簡體書)
作者:
邵喜斌
出版社:
電子工業出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
精裝
本書基於作者在薄膜電晶體液晶顯示器領域的開發實踐與理解,並結合液晶顯示技術的最新發展動態,首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點,然後依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術的光學特點與補償技術、薄膜電晶體器件的SPICE模型、液晶取向技術、液晶面板與電路驅動的常見不良與解析,最後介紹了新興的低藍光顯示技術、電競顯示技術、量子點顯示技術、Mini LED和Micro LED技術及觸控技術的原理與應用。
定價:1008 元,
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77.
極紫外光刻(簡體書)
作者:
(美)哈利‧傑‧萊文森
出版社:
上海科學技術出版社
出版日:
2022/09/01
裝訂:
平裝
《極紫外光刻》是一本論述極紫外光刻技術的最新專著。本書全面而又精煉地介紹了極紫外光刻技術的各個方面及其發展歷程,內容不僅涵蓋極紫外光源、極紫外光刻曝光系統、極紫外掩模版、極紫外光刻膠、極紫外計算光刻等方面,而且還介紹了極紫外光刻生態系統的其他方面,如極紫外光刻工藝特點和工藝控制、極紫外光刻量測的特殊要求,以及對技術發展路徑有著重要影響的極紫外光刻的成本分析等內容。最後本書還討論了滿足未來的芯片工藝節點要求的極紫外光刻技術發展方向。
定價:768 元,
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78.
功率半導體器件封裝技術(簡體書)
作者:
朱正宇
;
王可
;
蔡志匡
;
肖廣源
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2022/08/05
裝訂:
平裝
本書主要闡述功率半導體器件封裝技術為主的發展歷程及其涉及的材料、工藝、質量控制和產品認證等方面的基本原理和方法。同時對功率器件的電性能測試、失效分析、產品設計、仿真應力分析和功率模塊的封裝技術做了較為系統的分析和闡述,也對第三代寬禁帶半導體功率器件的封裝技術及應用於特殊場景(如汽車和航天領域)的功率器封裝技術及質量要求進行了綜述。通過對本書的學習,讀者能夠瞭解和掌握功率半導體器件的封裝技術和質量要求,由此展開並理解各種封裝技術的目的、特點和應用場合,從而深刻理解半導體器件的封裝實現過程及其重要性。
定價:594 元,
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79.
InAs/AlSb 異質結型射頻場效應晶體管技術(簡體書)
作者:
關赫
出版社:
西北工業大學出版社
出版日:
2022/08/01
裝訂:
平裝
與傳統半導體器件GaAs和GaN HEMTs相比,InAs/AlSb HEMTs作為典型的銻基化合物半導體(ABCS)器件具備更高的電子遷移率和電子飽和漂移速度,在高速、低功耗、低噪聲等應用方面擁有良好的發展前景。特別在深空探測方面,InAs/AlSb HEMTs作為深空探測的低噪聲放大器(LNA)的候選核心器件具有無可比擬的優勢。因此,本文針對InAs/AlSb HEMTs器件開展了系統研究,在器件特性研究、模型建立、電路設計及製備工藝等方面進行了較為深入的探討。本書在體系上力求合理完整,可作為高等院校的微電子技術相關專業本科和研究生的科研參考資料,可作為電子製造工程師的參考書和微電子封裝企業職工教育培訓的教材。
定價:348 元,
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80.
基於表面改性的氮化鎵納米材料(簡體書)
作者:
肖美霞
;
宋海洋
;
王博
出版社:
中國石化出版社
出版日:
2022/08/01
裝訂:
平裝
《基於表面改性的氮化鎵納米材料》本書主要介紹了第一性原理模擬方法及其在計算機模擬中各種參數的設置和實際模擬中的參數選擇,同時闡述了該方法在基於表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質和磁學性質研究中的應用,並將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。本書可供從事半導體納米材料的科研人員和工程技術人員使用,也可作為高等院校相關專業師生的參考用書。
定價:408 元,
優惠價:
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