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TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管:按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管:按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管:按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管(階躍恢復二極管)
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管:按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管:按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管(晶體管)
TN321 晶體管:按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管:按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管:按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管:按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀(網狀)晶體管
TN325 晶體管:按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管(可控硅)
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
614
筆商品,
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1.
基於弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件(英文版)(簡體書)
作者:
方華靖
出版社:
清華大學出版社(大陸)
出版日:
2024/04/01
裝訂:
平裝
《基於弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件(英文版)》一書介紹了基於鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設計開發的原型器件,初步探索了鐵電材料在信息技術領域的新應用。首先,利用PMN-26PT單晶作為介電層,單層二硫化鉬作為溝道半導體構築了一種光熱調控型場效應晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次,採用銀納米線作為透明頂電極,在PMN-28PT晶體上單片集成了能夠覆蓋紫外至太赫茲範圍的超寬光譜探測器。最後,通過集成摩擦電納米發電機和鐵電FET設計了一種自驅動模塊。
定價:534 元,
優惠價:
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465
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2.
真空鍍膜技術與應用(簡體書)
作者:
陸峰
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/03/01
裝訂:
平裝
本書系統全面地闡述了真空鍍膜技術的基本理論知識體系以及各種真空鍍膜方法、設備及工藝。對的薄膜類型、性能檢測及評價、真空鍍膜技術及裝備等內容也進行了詳細的介紹,如金剛石薄膜的應用及大面積制備技術、工藝、性能評價等。 本書敘述深入淺出,內容豐富而精煉,工程實踐性強,在強化理論的同時,重點突出了工程應用,具有很強的實用性,通俗易懂、簡單易學。 本書適用於從事真空鍍膜技術、薄膜與表面工程、材料工程等領域相關研究、設計、設備操作及維護工作的技術人員,也可以作為與真空鍍膜技術有關的研究人員和真空專業的本科生、研究生教材及參考書使用。
定價:828 元,
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720
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滿額折
3.
半導體技術基礎(簡體書)
作者:
杜中一
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/02/07
裝訂:
平裝
《半導體技術基礎》針對高職教學及學生的特點,根據微電子、電子製造、光電子以及光伏等專業人才培養方案的需要,系統地介紹了半導體技術相關的基礎知識。《半導體技術基礎》主要包括半導體物理基礎、硅半導體材料基礎、化合物半導體材料基礎、PN結、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、其他常用半導體器件、半導體工藝化學、半導體集成電路設計原理、半導體集成電路設計方法與製造工藝等內容。《半導體技術基礎》“以應用為目的
定價:150 元,
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4.
矽片加工工藝(簡體書)
作者:
黃建華
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/02/05
裝訂:
平裝
《新能源系列.光伏應用專業規劃教材:矽片加工工藝》主要講解了晶矽矽片加工工藝,主要包括單晶矽棒截斷、單晶矽棒與多晶矽錠開方、單晶矽塊磨面與滾圓、多晶矽塊磨面與倒角,多線切割、矽片清洗、矽片檢測與包裝等。 《新能源系列.光伏應用專業規劃教材:矽片加工工藝》根據矽片生產工藝流程,採用任務驅動、項目訓練的方法組織教學,以側重實踐操作技能為原則,注重實踐與理論的緊密結合,以職業崗位能力為主線突出應用性和實
定價:168 元,
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5.
直拉單晶矽工藝技術(第二版)(簡體書)
作者:
黃有志
;
王麗
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/02/01
裝訂:
平裝
本書主要內容包括單晶爐的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶矽生長技術、鑄錠多晶矽工藝、摻雜技術等內容。本書可作為各類院校太陽能光伏產業矽材料技術專業、新能源專業的教材,也可作為單晶矽生產企業的員工培訓教材,還可作為相關專業工程技術人員的參考書。
定價:192 元,
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6.
多晶矽生產技術:項目化教程(第二版)(簡體書)
作者:
劉秀瓊
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/02/01
裝訂:
平裝
本書為新能源類專業教學資源庫建設配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產多晶矽的製備原理及生產過程,內容包括三氯氫矽的合成、精餾提純,三氯氫矽氫還原製備高純矽,尾氣幹法回收,矽芯的製備等核心內容,同時對氣體的製備與淨化、四氯化矽的綜合利用與處理、純水的製備做了詳細介紹。本書緊密結合生產實踐,注重理論與實踐的有機結合。書中配置了二維碼,可以即掃即學。本書可作為本科和高職院校太陽能光伏產業矽材料專業教
定價:270 元,
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7.
矽片加工技術(簡體書)
作者:
康自衛
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/02/01
裝訂:
平裝
《硅片加工技術》主要從實際工藝的角度對硅片生產全過程進行了比較系統詳細的介紹,包括硅單晶的基本特性和晶體結構,硅片生產設備的種類、性能及其使用方法,硅單晶從滾磨與開方、切割、研磨、拋光、清洗一直到檢驗包裝的整個生產過程與管理,其中針對太陽能硅片的生產有適當的介紹,通過這些介紹,旨在使讀者能夠對硅片生產有一個全貌的認識,能具備硅片生產工藝與檢驗的基本知識,對各種設備儀器和工藝過程有所了解,有條件時可
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缺貨無法訂購
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8.
半導體器件缺陷與失效分析技術精講(簡體書)
作者:
日本可靠性技術叢書編輯委員會
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2024/02/01
裝訂:
平裝
本書共分為4章,內容包括半導體器件的缺陷、失效分析技術概要,矽集成電路(LSI)的失效分析技術,功率器件的缺陷、失效分析技術,化合物半導體發光器件的缺陷、失效分析技術。筆者在書中各處開設了專欄,用以介紹每個領域的某些方面。在第2-4章的末尾各列入了3道例題。這些例題出自日本科學技術聯盟主辦的“初級可靠性技術者”資格認定考試,題型為5選1。
定價:594 元,
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9.
彈性半導體的多場耦合理論與應用(簡體書)
作者:
金峰
;
屈毅林
出版社:
科學出版社
出版日:
2024/02/01
裝訂:
精裝
本書基於連續介質力學、連續介質熱力學及靜電學的基本原理,建立了半導體的連續介質物理模型。以該模型為基礎,採用材料力學及板殼力學的建模方法研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題,包括一維和二維壓電半導體結構(撓曲電半導體結構)在靜態加載、失穩、振動時的變形及載流子分佈等。
定價:990 元,
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10.
半導體乾法刻蝕技術(原書第2版)(簡體書)
作者:
(日)野尻一男
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2024/01/01
裝訂:
平裝
本書針對幹法刻蝕技術,在內容上涵蓋了從基礎知識到最新技術,使初學者能夠瞭解幹法刻蝕的機理,而無需複雜的數值公式或方程。本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝,而且對每種材料的關鍵刻蝕參數、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件製造流程中涉及的幹法刻蝕技術,介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理,例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體,並介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。
定價:534 元,
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11.
新型電致發光材料與器件(簡體書)
作者:
唐愛偉
;
胡煜峰
;
崔秋紅等
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2024/01/01
裝訂:
平裝
定價:474 元,
優惠價:
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412
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12.
寬禁帶半導體功率器件:材料、物理、設計及應用(簡體書)
作者:
(美)賈揚‧巴利加等
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2024/01/01
裝訂:
平裝
本書系統地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性,以及功率應用中不同類型的器件結構,同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、製造,以及智能功率集成中的技術細節。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅動設計,以及SiC和GaN功率器件的應用。最後對寬禁帶半導體功率器件的未來發展進行了展望。
定價:894 元,
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13.
碳化矽器件工藝核心技術(簡體書)
作者:
(希)康斯坦丁‧澤肯特斯
;
(英)康斯坦丁‧瓦西列夫斯基等
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2024/01/01
裝訂:
平裝
本書共包含9章,以碳化矽(SiC)器件工藝為核心,重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、幹法刻蝕、電解質製備等關鍵工藝技術,以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的製造和器件集成等,每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻,以反映這些方面的最新成果和發展趨勢。
簡體新到貨
定價:1134 元,
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14.
光學超晶格結構設計及其在光波長轉換中的應用(簡體書)
作者:
劉濤
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2023/12/01
裝訂:
平裝
本書主要介紹基於光學超晶格的光波長轉換技術,介紹光學超晶格的基本概念以及基於光學超晶格的光波長轉換基本原理,其中包括基於不同效應的光波長轉換原理及實現方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結構設計中的應用;然後分別講解均勻分段結構光學超晶格、階梯分段結構光學超晶格、啁啾結構光學超晶格及其在光波長轉換中的應用;之後探討光學超晶格在頻率上轉換單光子探測技術中的應用。本書可作為高等院校通信、光學等相關專業本科生、研究生的教學用書,也可作為非線性光學、光學材料相關專業研究人員和工程技術人員的參考用書。
定價:539 元,
優惠價:
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15.
現代農業LED智慧照明技術Light Emitting Diodes for Agriculture: Smart Lighting(簡體書)
作者:
(印)S. 杜塔‧古普塔
出版社:
北京理工大學出版社
出版日:
2023/11/30
裝訂:
平裝
《現代農業LED智慧照明技術》原版書由印度卡哈拉格普爾理工學院農業與食品工程系教授S‧杜塔‧古普塔博士(Dr. S. Dutta Gupta)撰寫, 由Springer出版社於2017年出版。
定價:588 元,
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16.
圖解入門:功率半導體基礎與工藝精講(原書第3版)(簡體書)
作者:
(日)佐藤淳一
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2023/11/20
裝訂:
平裝
本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體製造工藝的各個技術環節。全書共分為11章,分別是俯瞰功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用於功率半導體的矽片、功率半導體製造工藝的特點、功率半導體生產企業介紹、矽基功率半導體的發展、挑戰矽極限的碳化矽與氮化鎵、功率半導體開拓的碳減排時代等。
定價:594 元,
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庫存:1
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17.
半導體製造過程的批間控制和性能監控(簡體書)
作者:
鄭英
;
王妍
;
凌丹
出版社:
科學出版社
出版日:
2023/11/01
裝訂:
平裝
《半導體製造過程的批間控制和性能監控》基於當前半導體行業製造過程中存在的問題,介紹了多種改進的批間控制和過程監控算法及其性能。第1章為半導體製造過程概述,包括國內外研究現狀和發展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和製造過程監控。第4~7章討論機台干擾、故障、度量時延對系統性能的影響,提出多種批間控制衍生算法,包括雙產品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補償批間控制算法、基於T-S模糊模型的批間控制算法。第8~11章介紹半導體製造過程的性能和過程監控方法,包括:設計模型評價指標進行建模質量評估;提出基於時間序列模型的批間控制系統過程監控方法,進一步提出二維動態批次過程的建模和穩定性評價指標;提出基於數據的故障預測方法。
定價:768 元,
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滿額折
18.
SMT工藝不良與組裝可靠性(第2版)(簡體書)
作者:
賈忠中
出版社:
電子工業出版社
出版日:
2023/10/01
裝訂:
平裝
本書以工程應用為目標,聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題,以圖文並茂的形式,介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現象,以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結合內容需求,編入了幾十個經典案例,這些案例非常典型,不僅有助於讀者深入理解有關工藝的概念和原理,也可作為類似不良現象分析的參考。 本書系統的理論知識與豐富的典型案例,特別適合於從事電子產品設計與製造的工程師學習與參考,也可用作職業技術院校電子製造工藝與實訓的教材。
定價:1128 元,
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19.
半導體幹法刻蝕技術:原子層工藝(簡體書)
作者:
(美)索斯藤‧萊爾
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2023/09/25
裝訂:
平裝
本書主要內容有:熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等,探討了尚未從研究轉向半導體製造的新興刻蝕技術,涵蓋了定向和各向同性ALE的最新研究和進展。本書以特定的刻蝕應用作為所討論機制的示例,例如柵極刻蝕、接觸孔刻蝕或3D NAND通道孔刻蝕,有助於對所有幹法刻蝕技術的原子層次理解。
定價:714 元,
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20.
太陽能光伏產業:半導體矽材料基礎(第二版)(簡體書)
作者:
尹建華
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2023/09/11
裝訂:
平裝
《太陽能光伏產業:半導體硅材料基礎(第2版)》共分12章,較全面地講述了有關硅材料的基本知識。內容包括硅材料的發展史與當前的市場狀況;半導體材料的基本性質;晶體結構及其結構缺陷;能帶理論的基本知識;pn結和金屬半導體接觸的特性;硅材料的制備;化合物半導體材料的基本特性及用途;硅材料的加工。重點講述了制備高純多晶硅的三氯氫硅氫還原法,制備硅單晶的直拉法和澆鑄多晶硅的制備方法以及雜質在硅中的特性;
定價:174 元,
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