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TN30 一般性問題
TN301 基礎理論
TN301.1 半導體物理
TN301.2 半導體化學
TN302 設計與計算
TN303 結構、器件
TN304 材料
TN304.0 一般性問題
TN304.1 元素半導體
TN304.2 化合物半導體
TN304.3 稀土半導體
TN304.5 有機半導體
TN304.6 離子晶體
TN304.7 磁性半導體、磁阻半導體
TN304.8 非晶態半導體
TN304.9 其他半導體材料
TN305 半導體器件制造工藝及設備
TN305.1 晶體機械加工
TN305.2 表面處理
TN305.3 摻雜
TN305.4 擴散
TN305.5 氧化層生長
TN305.6 制版
TN305.7 光刻、掩膜
TN305.8 真空鍍膜
TN305.92 濺射
TN305.93 裝架
TN305.94 封裝及散熱問題
TN305.95 隔離技術
TN305.96 引線技術
TN305.97 潔凈技術
TN305.99 其他
TN306 可靠性及例行試驗
TN307 測量和檢驗
TN31 半導體二極管
TN311 二極管:按工藝分
TN311+.1 面接觸二極管
TN311+.2 合金二極管
TN311+.3 擴散二極管
TN311+.4 電化學二極管
TN311+.5 薄膜二極管
TN311+.6 互補二極管
TN311+.7 熱載流子二極管
TN311+.8 金屬-半導體二極管
TN312 二極管:按結構和性能分
TN312+.1 變容二極管
TN312+.2 隧道二極管
TN312+.3 反向二極管
TN312+.4 PIN二極管
TN312+.5 磁性二極管
TN312+.6 雙基極二極管
TN312+.7 雪崩二極管
TN312+.8 發光二極管
TN313 二極管:按作用分
TN313+.1 高壓二極管
TN313+.2 負阻二極管
TN313+.3 穩壓二極管
TN313+.4 功率二極管
TN313+.5 整流二極管
TN313+.6 開關二極管
TN313+.7 電荷貯存二極管(階躍恢復二極管)
TN313+.8 微波混頻及檢波二極管
TN314 二極管:按形式分
TN314+.1 臺面型二極管
TN314+.2 平面型二極管
TN314+.3 外延式二極管
TN315 二極管:按材料分
TN315+.1 鍺二極管
TN315+.2 硅二極管
TN315+.3 砷化鎵二極管
TN32 半導體三極管(晶體管)
TN321 晶體管:按工藝分
TN321+.1 面接觸晶體管
TN321+.2 合金晶體管
TN321+.3 擴散晶體管
TN321+.4 電化學晶體管
TN321+.5 薄膜晶體管
TN321+.6 互補晶體管
TN322 晶體管:按性能分
TN322+.1 本征勢壘晶體管
TN322+.2 漂移晶體管
TN322+.3 復合晶體管
TN322+.4 負荷晶體管、電荷晶體管
TN322+.5 磁性晶體管
TN322+.6 低噪聲晶體管
TN322+.7 微功耗晶體管
TN322+.8 雙極性晶體管
TN323 晶體管:按作用分
TN323+.1 低頻晶體管
TN323+.2 高頻晶體管
TN323+.4 功率晶體管
TN323+.6 開關晶體管
TN323+.7 模擬晶體管
TN323+.8 高反壓晶體管
TN324 晶體管:按形式分
TN324+.1 臺面型晶體管
TN324+.2 平面型晶體管
TN324+.3 外延型晶體管
TN324+.4 覆蓋式晶體管、梳狀(網狀)晶體管
TN325 晶體管:按材料分
TN325+.1 鍺晶體管
TN325+.2 硅晶體管
TN325+.3 化合物晶體管、砷化鎵晶體管
TN335 PNPN四層結構器件
TN34 晶閘管(可控硅)
TN341 可控硅原理和設計
TN342 可控硅器件
TN342+.2 單向可控硅
TN342+.3 雙向可控硅
TN342+.4 可關斷可控硅
TN342+.5 雪崩型可控硅
TN342+.6 高速可控硅
TN342+.7 光控可控硅
TN344 控制線路
TN345 參數及測量
TN345+.1 額定正向平均電流及其測量
TN345+.2 正向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.3 反向阻斷峰值電壓及其測量
TN345+.4 控制極觸發電壓及其測量
TN345+.5 控制極觸發電流及其測量
TN349 可控硅的應用
TN35 半導體整流器
TN351 氧化亞銅整流器
TN352 硒整流器
TN353 鍺整流器
TN354 砷化鎵整流器
TN355 氧化物整流器
TN356 硫化物整流器
TN357 光控整流器
TN358 電導調制整流器
TN359.1 相敏整流器
TN359.2 整流堆
TN36 半導體光電器件
TN361 光敏電阻
TN362 紅外線探測器件
TN364 半導體光電管
TN364+.1 硅光電管
TN364+.2 半導體光電二極管
TN364+.3 光電晶體管
TN364+.4 微分半導體光電管
TN365 半導體激光器件
TN366 光轉換器
TN37 半導體熱電器件、熱敏電阻
TN371 通用熱敏電阻
TN372 高溫、低溫熱敏電阻
TN373 正溫度系數熱敏電阻
TN374 高頻、低頻熱敏電阻
TN375 玻璃態熱敏電阻
TN376 熱敏電阻熱輻射探測器
TN377 溫差電器件
TN379 敏感器件
TN382 霍爾器件、光磁電探測器件
TN382+.1 霍爾回旋器
TN382+.2 霍爾阻隔器
TN382+.3 霍爾環形器
TN383 發光器件
TN383+.1 場致發光器件、電致發光器件
TN383+.2 光致發光器件
TN383+.3 高能粒子輻射發光器件
TN383+.4 陰極發光器件
TN383+.5 熱致發光器件
TN384 鐵電及壓電器件
TN385 微波半導體器件
TN386 場效應器件
TN386.1 金屬-氧化物-半導體(MOS)器件
TN386.2 絕緣柵場效應器件
TN386.3 肖特基勢壘柵場效應器件
TN386.4 硅柵器件
TN386.5 電荷耦合器件
TN386.6 結型場效應晶體管
TN386.7 靜電感應場效應晶體管
TN387 體效應器件
TN387.1 甘氏效應器件、甘氏二極管
TN387.2 限壘二極管
TN387.3 碰撞雪崩渡越時間器件
TN387.4 奧氏器件、玻璃半導體器件
TN387.5 混合模式器件
TN389 其他器件
共
616
筆商品,
8
/31頁
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141.
TFT液晶顯示原理與技術(簡體書)
作者:
田民波
出版社:
科學出版社
出版日:
2021/02/09
裝訂:
平裝
TFT LCD液晶顯示器在平板顯示器中脫穎而出,在顯示器市場獨占鰲頭。目前以TFT LCD為代表的平板顯示產業發展迅速,為適應平板顯示產業迅速發展的要求,本書作者編寫了薄型顯示器叢書。本冊闡述TFT液晶顯示的基本原理和技術,共分4章:第1章介紹液晶顯示的歷史和現狀;第2章以近乎動(畫)、漫(畫)的形式形象直觀地介紹了液晶材料和液晶顯示的入門知識;第3、4章是TFT LCD液晶顯示器的基礎,分別介紹
定價:948 元,
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142.
微波氮化鎵功率器件等效電路建模理論與技術(簡體書)
作者:
徐躍杭
;
徐銳敏
;
李言榮
出版社:
科學出版社
出版日:
2021/02/09
裝訂:
平裝
本書是作者多年來在微波寬禁帶半導體器件及其建模科研工作的總結,核心內容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯合單位發表在國際重要期刊的文章。本書是作者多年來在微波寬禁帶半導體器件及其建模科研工作的總結,核心內容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯合單位發表在國際重要期刊的文章。
定價:828 元,
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143.
光電器件基礎與應用(簡體書)
作者:
彭軍
出版社:
科學出版社
出版日:
2021/01/21
裝訂:
平裝
本書介紹半導體光電器件的基本知識及最新應用。內容分為兩大部分,第一部分介紹各種半導體發光、受光器件的基本知識,以及在傳感技術、測量技術中的應用;第二部分主要介紹以0PIC為代表的、發光器件與受光器件的組合應用,例如光耦合器、光斷續器、固體繼電器、IrDA器等。 本書內容與時俱進,實用性強,可以作為半導體器件、光電子、傳感技術等專業本科生、研究生的教學參考書,也可供相關領域工程技術人員參考。
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144.
真空鍍膜原理與技術(簡體書)
作者:
方應翠
出版社:
科學出版社
出版日:
2021/01/21
裝訂:
平裝
《真空鍍膜原理與技術》闡述了真 空鍍膜的應用,真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長 過 程;探討了薄膜生長的影響因素;具體地介紹了真空 鍍膜的各種方法,包 括真空蒸發鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學氣 相沉積的原理、特 點、裝置及應用技術等。力求避開煩瑣的數學公式, 盡量用簡單的語言闡 述物理過程。通俗易懂、簡單易學。 《真空鍍膜原理與技術》可作為
定價:330 元,
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145.
電子SMT製造技術與技能(第2版)(簡體書)
作者:
龍緒明
出版社:
電子工業出版社
出版日:
2021/01/01
裝訂:
平裝
本書系統論述先進電子SMT製造技術與技能,並介紹了非常便於教學的"SMT專業技術資格認證培訓和考評平臺AutoSMT-VM2.1”上實訓的方法步驟,以及SMT專業技術資格認證考試方法,將理論、實踐技能和認證考試進行了有機整合和詳細論述,使學員很好地掌握現代化先進電子SMT製造技術。全書介紹SMT基礎、PCB設計、SMT工藝、SMT設備(絲印、點膠、貼片、焊接、SMT檢測和返修),各章均備有較多的習
定價:359 元,
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146.
低維半導體新材料的電磁特性(簡體書)
作者:
王瑞
出版社:
上海交通大學出版社
出版日:
2021/01/01
裝訂:
平裝
本書由七個章節構成。前兩章為研究背景和基礎知識章節。重點介紹了電子自旋激化輸運的物理背景、研究歷史和主要研究方法及進展。第三章量子點中的自旋輸運是全書的基礎和核心章節,重點闡述了與量子輸運這一概念聯繫很為緊密的概念和模型。在本書的第四、第五和第六章中,我們討論了AB效應、自旋軌道耦合等作用對各類量子模型中自旋輸運的影響。在本書的第七章中,我們介紹了冷原子體系中的量子輸運,這對調控電子自旋都有著積極
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147.
非晶Ge基磁性半導體的磁性和電輸運研究(簡體書)
作者:
裴娟
出版社:
中國水利水電出版社(水利電力出版社)
出版日:
2021/01/01
裝訂:
平裝
本書共分9章。第1章介紹了自旋電子學和磁性半導體的發展概況。第2章介紹了本書中涉及的實驗樣品的製備、樣品測試技術原理以及實驗方法。第3-8章採取靜態磁性測量和動態磁性測量相結合的方法,研究了加氫對非晶Ge基磁性半導體薄膜磁化強度和交換作用的影響等。第9章為總結及後續研究展望。
定價:294 元,
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148.
嵌入式處理器及物聯網的可視化虛擬設計與仿真:基於PROTEUS(簡體書)
作者:
周潤景
出版社:
北京航空航天大學出版社
出版日:
2021/01/01
裝訂:
平裝
本書內容包括PROTEUS軟件的基本操作、模擬和數字電路的分析方法、單片機電路的軟硬件調試、Intel8086微處理器的軟硬件調試、DSP的軟硬件調試和PCB設計方法。本書亮點可視化設計、物聯網項目的設計開發,以及PCB設計等內容。為了便於讀者學習,本書電子資
定價:414 元,
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149.
半導體製造工藝(第2版)(簡體書)
作者:
張淵
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2021/01/01
裝訂:
平裝
本教材簡要介紹了半導體器件基本結構、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品,以典型的CMOS管的製造實例為基礎介紹了積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。重點介紹了包括清洗、氧化、化學氣相澱積、金屬化、光刻、刻蝕、摻雜、平坦化幾大積體電路製造工藝的工藝原理工藝過程,工藝設備、工藝參數、品質控制及工藝類比的相關內容。
定價:252 元,
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150.
有機場效應晶體管器件及功能化應用(簡體書)
作者:
湯慶鑫
出版社:
科學出版社
出版日:
2020/12/28
裝訂:
平裝
《有機場效應晶體管器件及功能化應用》針對當前有機場效應晶體管器件的研究熱點和難點,介紹有機場效應晶體管研究前景、研究進程與現狀,並基於對有機半導體優勢和有機場效應器件理論的理解,介紹有機場效應晶體管的基本結構、基本原理、基本參數、製備方法、特性和性能、器件的功能化應用。
定價:594 元,
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151.
矽基光電子發光材料與器件(簡體書)
作者:
楊德仁
出版社:
科學出版社
出版日:
2020/12/22
裝訂:
平裝
本書主要闡述國內外矽基發光材料和器件的研究進展,主要包括:(1)矽基納米結構材料與發光器件,(2)矽基雜質與缺陷發光中心的構建及器件,(3)矽基多孔矽發光製備與器件,(4)矽基能帶調控發光材料與雷射器件,(5)矽基量子點外延材料及雷射器件,(6)矽/化合物半導體混合鐳射。(7)矽基有機發光材料與器件,(8)矽基光源和光波導集成。
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152.
直拉矽單晶生長過程數值模擬與工藝優化(簡體書)
作者:
劉丁
出版社:
科學出版社
出版日:
2020/12/15
裝訂:
精裝
本書是作者長期從事直拉矽單晶生長過程數值模擬與工藝優化研究的總結。書中在概述矽單晶發展前景、主要生長設備及關鍵工藝的基礎上,介紹直拉矽單晶生長過程數值模擬方法、工藝流程與參數設置、熱系統設計與製造等方面的內容;從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響,並給出關鍵工藝參數選取方法;提出一系列結合變量檢測、智能優化及先進控制技術的矽單晶工藝研究理論和工程實現方法。本書在理論和實驗兩方面均進行詳盡
定價:1368 元,
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153.
資料驅動的半導體製造系統調度(簡體書)
作者:
李莉
出版社:
化學工業出版社
出版日:
2020/12/01
裝訂:
平裝
本書對複雜的半導體製造系統智慧調度問題從理論到方法再到應用, 進行了系統論述。主要內容包括資料驅動的半導體製造系統調度框架、半導體製造系統資料預處理的方法、半導體生產線性能指標相關性分析、智慧化投料控制策略、一種類比資訊素機制的動態派工規則、基於負載均衡的半導體生產線的動態調度和性能指標驅動的半導體生產線動態調度方法、大資料環境下的半導體製造系統調度發展趨勢。本書面向從事半導體製造系統計畫、調度和
定價:408 元,
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154.
LED照明產品品質認證與檢測方法(簡體書)
作者:
俞建峰
;
儲建平
出版社:
人民郵電出版社
出版日:
2020/12/01
裝訂:
平裝
《LED照明產品質量認證與檢測方法》全面系統地介紹了LED照明產品的國內外**新標準和技術法規、LED生產質量工藝、LED驅動電源和散熱等關鍵技術,給出了LED產品檢測案例,分析了LED照明產品質量不合格的原因。《LED照明產品質量認證與檢測方法》適合從事LED照明產品研發設計、生產製造、質量檢測和產品應用的工程技術人員閱讀,也可供LED產品進出口國際貿易人員、政府質量監管人員、認證和檢測機構技術人員參考,還可作為高等院校光電、半導體專業學生的參考用書。
定價:234 元,
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155.
電子技術實驗教程(簡體書)
作者:
黃梅春
;
鄭鑫
出版社:
中國輕工業出版社
出版日:
2020/11/01
裝訂:
平裝
定價:288 元,
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156.
LED器件的原理及應用(簡體書)
作者:
周敏彤
;
吳丹
;
陳蕾
出版社:
蘇州大學出版社
出版日:
2020/11/01
裝訂:
平裝
本書第1章對LED的基礎知識、基本性能參數、發光原理、常用材料和結構特點等做了比較詳細的介紹。第2章是本書的重點內容之一,討論了電阻限流、恒流源以及脈衝寬度調制三種方法來驅動單個LED的方法,它們也是所有LED器件應用驅動電路的設計與技術基礎。第3、4章介紹的內容與LED器件作為電光源在照明設備中的應用有關,第3章介紹單個照明設備中的LED電光源的組成以及驅動電路設計,第4章介紹在LED照明大規模應用中,如何構成的智能照明網絡系統,包括LED電光源網絡的建立、對網絡中的LED電光源進行遠程控制和管理等內容。第5、6章介紹了LED顯示屏的驅動電路設計,詳細討論了完整且可復現的LED顯示屏應用實例。第7章給出了若幹使用單片機對LED器件進行控制的應用實例。
定價:216 元,
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157.
IGBT理論與設計(簡體書)
作者:
(印)維諾德‧庫馬爾‧卡納
出版社:
機械工業出版社
出版日:
2020/10/30
裝訂:
精裝
本書首先對不同類型的IGBT工作原理進行了介紹,然後從IGBT的結構出發,給出了IGBT中MOS結構和雙極型結構的工作原理,接下來詳細說明了它們如何影響IGBT的正向傳導特性,詳細研究了IGBT模型,包括靜態、動態和電熱行為,討論了IGBT中的閂鎖效應,以及預防閂鎖的詳細處理方法。借助計算機輔助設計工具深入研究了IGBT單元的設計技術,從結構、摻雜分佈、溝道長度、跨導和正向壓降、導通和開關損耗、單
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158.
晶體管非線性模型參數提取技術(簡體書)
作者:
(德)馬蒂亞斯‧魯道夫
出版社:
國防工業出版社
出版日:
2020/10/28
裝訂:
平裝
《晶體管非線性模型參數提取技術》一書是劍橋射頻和微波工程系列叢書之一。全書系統地討論了晶體管非線性模型構造、參數提取、測量及分析方法以及晶體管封裝模型、參數提取不確定度、噪聲參數、電路設計等一系列關鍵問題,是一部細緻講解晶體管非線性模型參數提取技巧和方法的書籍。本書內容涵蓋全面、理論分析細緻、技術研究深入、工程實用性強,可用於集成電路計算機輔助設計,用以提高射頻和微波毫米波功率電路及其它非線性電路
定價:528 元,
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159.
SiC功率器件的封裝測試與系統集成(簡體書)
作者:
曾正
出版社:
科學出版社
出版日:
2020/10/20
裝訂:
平裝
SiC功率器件是電能變換的核心,是下一代電氣裝備的基礎,在消費電子、智能電網、電氣化交通、國防軍工等領域,具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表徵、封裝測試和系統集成,具有重要的研究價值和應用前景。圍繞SiC功率器件的基礎研究和前沿應用,《SiC功率器件的封裝測試與系統集成》系統介紹了SiC功率器件的研究現狀與發展趨勢,分析了器件的電-熱性能表徵方法,闡述了器件的並聯、串聯、級聯等擴容技術,介
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負電容場效應晶體管特性及其解析模型研究(簡體書)
作者:
蔣春生
出版社:
清華大學出版社(大陸)
出版日:
2020/10/12
裝訂:
精裝
本書採用數值仿真、解析建模和實驗製備的手段對集成電路亞10nm階段新型低功耗半導體器件-負電容場效應晶體管(NC-FETs)的工作原理和設計優化進行了研究和探索。在負電容場效應晶體管的解析模型及其特性優化、新型負電容場效應晶體管器件結構的提出、以及基於二維材料的負電容場效應晶體管的製備等方面,本書做出了一系列原創性的研究工作,可為從事新型半導體器件設計的技術人員提供參考。
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