三民網路書店 中國圖書館分類法 / 工業技術 / 無線電電子學、電信技術 / 半導體技術

有機熱電是有機電子學和能源領域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發展。作為快速起步的新興研究方向，有機熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉換過程、機制、功能與應用，系統闡述有機熱電領域的發展機遇、現狀與挑戰，對推動該領域的快速發展具有重要學術價值。本書根據該領域的特點和自身發展現狀，並結合作者多年的研究積累及對相關原始文獻的解讀，系統介紹有機熱電材料與器件。尤其是從分子體系熱電轉換的基本原理與機制出發，重點介紹有機熱電材料的設計策略與基本思想、有機熱電器件的構建技術與集成方法，系統介紹有機熱電的研究方向、前沿進展和發展趨勢，期望形成對相關學科領域的系統認知。

半導體材料是微電子、光電子和太陽能等工業的基石，而其電學性能、光學性能和機械性能將會影響半導體器件的性能和質量，因此，半導體材料性能和結構的測試和分析，是半導體材料研究和開發的重要方面。本書主要介紹半導體材料的各種測試分析技術，涉及測試技術的基本原理、儀器結構、樣品制備和應用實例等內容：包括四探針電阻率、無接觸電阻率、擴展電阻、微波光電導衰減、霍爾效應、紅外光譜、深能級瞬態譜、正電子湮沒、熒光光譜

本書介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O3四種最重要的寬禁帶半導體電子材料和器件,從晶體結構、帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件等方面論述了其基礎物理性質、面臨的關鍵科學技術問題、國內外前沿研究成果和應用前景。

《普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材：半導體材料（第3版）》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材，介紹了主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為矽、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為矽外延生長；第6章為Ⅲ-V族化合物半導體；第7章為Ⅲ-V族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-

本書的內容與1984年第一版的內容完全不同。本書介紹補充了這二十年來半導體科研、生產中最常用的各種檢測、分析方法和原理。全書共分7章，包括引論，半導體的高分辨X射線衍射，光學檢測與分析，表面、薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體中的應用和半導體深中心的表征。書中根據實踐列舉了一些實例，同時附有大量參考文獻和常用的數據，以便讀者進一步參考和應用。　本書可供從事半導

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導體光子學的物理基礎，低維半導體材料製備與能帶調控、瞬態光學特性、光傳輸與光反饋、光子調控、非線性光學性質和納米尺度光學表徵與應用，以及基於低維半導體材料或結構的發光二極管、激光器、光調製器和非線性光學器件等，最後介紹了基於低維半導體結構集成光子器件與技術。本書力求為讀者全面系統地介紹低維半導體納米材料的各種基本物理性質與光學特性，以及相關的光學

《大功率IGBT驅動與保護技術》根據大功率IGBT驅動與保護技術的新發展現狀，結合團隊多年積累的科研成果和技術經驗，對IGBT驅動和保護技術進行了全面的介紹。《大功率IGBT驅動與保護技術》在介紹IGBT器件及驅動新發展現狀的基礎上，從IGBT器件結構、特性以及工作原理出發，詳細地分析了影響大功率IGBT開關特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數，進而對IGBT模塊的驅動和保護技術進行全面的論述，在此基礎上進一步闡述了數字化驅動保護技術以及IGBT串並聯技術方案。另外，為幫助從事系統設計的讀者選用合適的驅動器，《大功率IGBT驅動與保護技術》介紹了市場上現有的驅動器的使用方法及推薦電路。後面，介紹了IGBT功率模塊、IPM模塊和IGBT模塊驅動測試平臺。

《LED封裝與檢測技術>根據教育部最新的職業教育教學改革要求，依託福建信息職業技術學院光電器件集成加工中心及合作企業完善的LED封裝和測試設備，在進行大量的課程改革與教學實踐基礎上進行編寫。本書從LED的基礎知識出發，系統全面地講解了LED封裝的基本參數、工藝流程、物料、工藝要求和LED測試技術，具體包括：LED基礎知識、LED封裝規範、固晶環節、焊線環節、配膠灌膠環節、切腳初測環節、分選包裝環節、LED光色電參數檢測等。全書通過LED生產實例來組織內容，結構清晰，內容實用，並配有大量的生產操作圖片，通俗易懂，注重培養學生實際操作工藝及理論聯繫實際的能力。本書配有免費的電子教學課件、習題參考答案及部分工藝操作的教學視頻，詳見前言。．

晶體管這個被譽為20世紀最偉大的發明改變了世界，而以矽材料為基礎的微電子器件則以其低功耗、低成本、易集成等優點迅速佔領了絕大部分電子市場，並成為當時高科技產業的重要支柱。從晶體管的發明、集成電路的出現、計算機的不斷更新換代、再到通信網絡的飛速發展，人類生活的各個層面無不打下了微電子的烙印：微電子產品已經被用到人們物資生活的各個層面；微電子的設計思想和製作方法也已經滲入到不同學科及社會領域。然而，微電子器件的進一步小型化使得集成電路的互連延遲效應及能耗問題成了以電子作為信息載體的高速集成電路技術的一個不可逾越的障礙。與電子相比，光子作為信息載體具有巨大的優勢：光子沒有靜止質量，光子之間也幾乎沒有干擾，光的不同波長可用于多路同時通訊，因此，利用光子的信息技術具有更大的帶寬和更高的速率。所謂矽基光電子學，就是研究和開發以光子和電子為信息載體的矽基大規模集成技術。其核心內容就是探討微米/納米級光子、電子、及光電子器件在不同材料體系中的新穎工作原理，並使用與矽基集成電路工藝兼容的技術和方法，將它們異質集成在同一矽襯底上，形成一個完整的具有綜合功能的新型大規模光電集成芯片的一門科學。雖然矽材料在光電效應方面存在著"先天不足"，而光子器件在尺寸方面也"衍射受限"，但將微電子和光電子結合起來，開發矽基大規模光電子集成技術，已經獲得巨大得進展，並成為信息技術發展的必然和業界的普遍共識。本書的目的僅在於為這一歷史進程提供理論研究和技術開發的支持，希望其內容能夠對讀者起到一個"抛磚引玉"的作用。法。

本書根據現代電子製造業對表面貼裝崗位技術人才的需要，系統介紹了表面貼裝技術（SMT)工藝設備的基礎知識和基本操作技能。全書各任務的實施都以生產案例為載體，並融入行業標準及企業規範，內容按照表面貼裝技術工藝流程進行編排，一共分為印刷、貼片、回流焊接、檢測與返修四個項目，具體包括：SMT產線認知、印刷機的操作、貼片機的操作、回流焊機的操作、檢測設備的操作和設備日常維護內容。課程將理論知識的學習、實踐能力的培養融於崗位工作過程當中，著力培養學生崗位能力。本書可作為中等職業學校電子技術應用、電子資訊技術等專業的教學用書，也適用于社會從業人士的業務參考書及培訓用書。

本書把典型電力電子裝置的數量關係與仿真模型的構建方法整合起來，涵蓋了整流裝置、逆變裝置和直流斬波裝置的建模分析與示例設計。並以一個剛剛從事研發的工程師視角出發，進行原理分析、參數計算、建模設計，在素材遴選、內容編排方面，避免晦澀，凸顯易懂。本書將涉及的Simulink基礎知識、常規建模方法與基本流程知識，融入到典型電力電子裝置的建模中去，既闡釋了功率器件的選型方法、分析步驟和參數計算理論等，又結合工程實踐，根據入門基礎、經驗技巧、設計案例和心得體會等不同層面，進行歸類、凝練和拓展。本書力求做到理論與實踐相結合，既有理論設計、分析與計算（含仿真驗證），又有實踐與實戰的拔高。本書適合剛從事電力電子裝置研發的工程師及相關專業的研究生和本科生閱讀。

本書囊括了現代電子裝聯工程應用中所涉及的各種專用術語、名詞定義；各種物理、化學現象的解釋；工藝流程的優化方法、控制特點及效果評估；各種工藝裝備的應用特點、使用要求；工藝可靠性及失效分析；各種典型工藝缺陷及故障的表現特徵、形成機理、解決措施等。為方便讀者查閱，本書分成焊料、助焊劑、焊膏和焊接；THT及波峰焊接；SMT與再流焊接；現代電子裝聯工藝過程控制；現代電子裝聯工藝可靠性；現代PCBA組裝中常見

功率半導體器件廣泛應用於消費電子、工業、通信、計算機、汽車電子等領域，目前也逐漸應用於軌道交通、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業。本書著重闡述功率半導體器件的封裝技術、測試技術、仿真技術、封裝材料應用，以及可靠性試驗與失效分析等方面的內容。本書共10章，主要內容包括功率半導體封裝概述、功率半導體封裝設計、功率半導體封裝工藝、IGBT封裝工藝、新型功率半導體封裝技術、功率器件的測試技術、功率半導體封裝的可靠性試驗、功率半導體封裝的失效分析、功率半導體封裝材料、功率半導體封裝的發展趨勢與挑戰。

本書針對有機電致發光器件相關的科學與技術問題進行了討論，對器件的工作機理、結構設計等技術問題進行了描述，介紹了相關前沿的研究現狀。本書可供發光學、有機光電器件等領域的研究人員、高年級本科生和研究生參考閱讀，也可供有源OLED技術人員使用。

本書將科學原理與工程實踐相結合，系統地介紹TFT-LCD的基本原理與功能設計。全書共12章，分三大部分。第一部分介紹TFT-LCD的基本概念，TFT器件的工作原理與液晶的基本物理特性；第二部分介紹TFT-LCD的材料技術與工藝技術；第三部分介紹TN/IPS/VA顯示屏原理與設計、TFT-LCD電路驅動原理與設計、TFT-LCD模組結構原理與設計、TFT-LCD高品質和低成本設計、半透過型TFT-L

《晶片用矽晶片的加工技術》由淺入深地介紹了半導體矽及積體電路的有關知識，並著重對滿足納米積體電路用優質大直徑300mm矽單晶拋光片和太陽能光伏產業用晶體矽太陽電池晶片的製備工藝、技術，以及對生產工藝廠房的設計要求進行了全面系統的論述。 書中附有大量插圖、表格等技術資料，可供致力於半導體矽材料工作的科技人員、企業管理人員和從事矽片加工的專業工程技術人員閱讀參考，亦可作為高校及專業培訓的教學參考書使用。

本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiC MOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈衝測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過衝，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。